Problem of attaining constant impurity concentration over ingot height
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
On the over-concentration problem of strong lensing clusters
Λ cold dark matter paradigm predicts that galaxy clusters follow a universal mass density profile and fit a well-defined mass-concentration relation, with lensing clusters being preferentially triaxial haloes elongated along the line of sight. Oddly, recent strong and weak lensing analyses of clusters with a large Einstein radius suggested those haloes to be highly overconcentrated. Here, we in...
متن کاملCoulomb impurity problem in graphene.
We address the problem of an unscreened Coulomb charge in graphene and calculate the local density of states and displaced charge as a function of energy and distance from the impurity. This is done nonperturbatively in two different ways: (1) solving the problem exactly by studying numerically the tight-binding model on the lattice and (2) using the continuum description in terms of the 2D Dir...
متن کاملthe problem of divine hiddenness
این رساله به مساله احتجاب الهی و مشکلات برهان مبتنی بر این مساله میپردازد. مساله احتجاب الهی مساله ای به قدمت ادیان است که به طور خاصی در مورد ادیان ابراهیمی اهمیت پیدا میکند. در ادیان ابراهیمی با توجه به تعالی خداوند و در عین حال خالقیت و حضور او و سخن گفتن و ارتباط شهودی او با بعضی از انسانهای ساکن زمین مساله ای پدید میاید با پرسشهایی از قبیل اینکه چرا ارتباط مستقیم ویا حداقل ارتباط وافی به ب...
15 صفحه اولRemoving Nondeterminism in Constant Height Pushdown Automata
We study the descriptional cost of removing nondeterminism in constant height pushdown automata — i.e., pushdown automata with a built-in constant limit on the height of the pushdown. We show a double-exponential size increase when converting a constant height nondeterministic pushdown automaton into an equivalent deterministic device. Moreover, we prove that such a double-exponential blow-up c...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Modern Electronic Materials
سال: 2018
ISSN: 2452-1779,2452-2449
DOI: 10.3897/j.moem.4.2.38536